脈沖激光外延制備系統(tǒng)可制備的薄膜包括氮化物、氧化物、多層膜、鉆石、石墨烯、碳納米管、2D材料，還提供相關系統(tǒng)配件，例如基片加熱裝置、原位監(jiān)測工具，還為您提供標準的薄膜以及材料涂層，例如氧化物涂層、導電薄膜、無定型或納米晶、聚合物、納米鉆石、鉆石涂層以及器件加工。

　　優(yōu)勢：

　　1. 靶源易蒸發(fā)，即使是高熔點的材料，如氧化物，也很容易蒸發(fā)。

　　2. 化學計量比準確，沉積的薄膜和靶材的化學組分幾乎*一樣。

　　3. 污染少。

　　4. 激光脈沖的重復頻率可進行薄膜厚度/生長速率的數(shù)字式或非連續(xù)性控制。

　　5. 差分抽氣結構，可在寬的氣壓范圍內工作。

　　6. 靶材的交換簡單快捷，有利于實現(xiàn)異質外延和多層結構的生長。

　　7. 脈沖激光外延制備系統(tǒng)結構緊湊，含有許多技術，如襯底加熱和樣品或靶材的進樣-自鎖交換裝置等。

　　8. 在真空環(huán)境下利用脈沖激光對靶材表面進行轟擊，利用激光產生的局域熱量將靶材物質轟擊出來，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。

　　9. 外延薄膜、多層異質結構和超晶格的沉積，使用原位RHEED診斷技術沉積納米級薄膜。